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IXFA7N100P
MOSFET, N-CH, 1KV, 7A, TO-263
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFA7N100PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4536
Gamme de produitPolar HiPerFET
Votre numéro de pièce
240 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,680 $ |
| 10+ | 9,900 $ |
| 25+ | 8,110 $ |
| 50+ | 6,500 $ |
| 100+ | 6,220 $ |
| 250+ | 5,910 $ |
| 500+ | 5,810 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
11,68 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFA7N100PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4536
Gamme de produitPolar HiPerFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id7A
On Resistance Rds(on)1.9ohm
Drain Source On State Resistance1.9ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation300W
Power Dissipation Pd300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
1.9ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Drain Source On State Resistance
1.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Power Dissipation Pd
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit