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IXFH10N100P
MOSFET, N-CH, 1KV, 10A, TO-247AD
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH10N100PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4539
Gamme de produitPolar HiPerFET
Votre numéro de pièce
505 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,020 $ |
| 10+ | 12,980 $ |
| 25+ | 10,930 $ |
| 50+ | 8,890 $ |
| 100+ | 8,220 $ |
| 250+ | 7,550 $ |
| 500+ | 7,400 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
15,02 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH10N100PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4539
Gamme de produitPolar HiPerFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance1.4ohm
On Resistance Rds(on)1.4ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation Pd380W
Power Dissipation380W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
380W
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
1.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Power Dissipation
380W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit