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IXFH12N100P
MOSFET, N-CH, 1KV, 12A, TO-247
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH12N100PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4541
Gamme de produitPolar HiPerFET
Votre numéro de pièce
493 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,810 $ |
| 10+ | 14,560 $ |
| 25+ | 12,320 $ |
| 50+ | 10,070 $ |
| 100+ | 9,320 $ |
| 250+ | 8,580 $ |
| 500+ | 8,410 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
16,81 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH12N100PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4541
Gamme de produitPolar HiPerFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance1.05ohm
On Resistance Rds(on)1.05ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation436W
Power Dissipation Pd436W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.05ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
436W
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
1.05ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Power Dissipation Pd
436W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit