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IXFH50N85X
MOSFET, N-CH, 850V, 50A, TO-247
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH50N85XCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4547
Gamme de produitX-Class HiperFET
Votre numéro de pièce
140 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 29,120 $ |
| 5+ | 26,390 $ |
| 10+ | 23,640 $ |
| 25+ | 20,910 $ |
| 60+ | 19,650 $ |
| 120+ | 19,280 $ |
| 270+ | 18,950 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
29,12 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH50N85XCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4547
Gamme de produitX-Class HiperFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds850V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.105ohm
On Resistance Rds(on)0.105ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation890W
Power Dissipation Pd890W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX-Class HiperFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
850V
Drain Source On State Resistance
0.105ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
890W
No. of Pins
3Pins
Product Range
X-Class HiperFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.105ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Power Dissipation Pd
890W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit