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IXFK27N80Q
Power MOSFET, Q-Class, N Channel, 800 V, 27 A, 0.32 ohm, TO-264AA, Through Hole
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFK27N80Q
Code Commande02AC9808
Gamme de produitHiPerFET
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 45 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 41,310 $ |
| 5+ | 35,670 $ |
| 10+ | 31,170 $ |
| 25+ | 30,110 $ |
| 50+ | 29,150 $ |
| 100+ | 28,600 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
41,31 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFK27N80Q
Code Commande02AC9808
Gamme de produitHiPerFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.32ohm
On Resistance Rds(on)0.32ohm
Transistor Case StyleTO-264AA
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd500W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation500W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.32ohm
Transistor Case Style
TO-264AA
Power Dissipation Pd
500W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
27A
On Resistance Rds(on)
0.32ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit