Imprimer la page
IXFK88N30P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-264, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 44 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 21,510 $ |
| 10+ | 16,170 $ |
| 25+ | 15,670 $ |
| 50+ | 14,850 $ |
| 100+ | 14,320 $ |
| 250+ | 13,740 $ |
| 500+ | 13,490 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
21,51 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFK88N30P
Code Commande58M7616
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id88A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd600W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation600W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
The IXFK88N30P is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
Applications
Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
88A
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
600W
Power Dissipation
600W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits