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IXFN360N10T
MOSFET MODULE, N-CH, 100V, 360A
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN360N10TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande37AC0717
Gamme de produitTrench HiperFET
Votre numéro de pièce
481 En Stock
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 49,800 $ |
| 5+ | 47,360 $ |
| 10+ | 44,620 $ |
| 25+ | 41,630 $ |
| 50+ | 38,910 $ |
| 100+ | 38,100 $ |
| 250+ | 37,010 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
49,80 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN360N10TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande37AC0717
Gamme de produitTrench HiperFET
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id360A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance2600µohm
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage100V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd830W
Power Dissipation830W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrench HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Produits de remplacement pour IXFN360N10T
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
360A
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Rds(on) Test Voltage
100V
Power Dissipation Pd
830W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
830W
Product Range
Trench HiperFET
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit