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IXFP12N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 12A, TO-220
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFP12N65X2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4553
Gamme de produitX2-Class HiperFET
Votre numéro de pièce
215 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,800 $ |
| 10+ | 7,020 $ |
| 25+ | 6,440 $ |
| 50+ | 5,840 $ |
| 100+ | 5,450 $ |
| 250+ | 5,120 $ |
| 500+ | 4,780 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
9,80 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFP12N65X2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande71AH4553
Gamme de produitX2-Class HiperFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.31ohm
On Resistance Rds(on)0.31ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation180W
Power Dissipation Pd180W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX2-Class HiperFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.31ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
180W
No. of Pins
3Pins
Product Range
X2-Class HiperFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.31ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
180W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit