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IXFQ28N60P3
MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO-3P
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFQ28N60P3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande02AC9819
Gamme de produitPolar3 HiPerFET
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,230 $ |
| 10+ | 11,400 $ |
| 25+ | 9,590 $ |
| 50+ | 7,750 $ |
| 100+ | 7,160 $ |
| 250+ | 6,550 $ |
| 500+ | 6,420 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
13,23 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFQ28N60P3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande02AC9819
Gamme de produitPolar3 HiPerFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id28A
On Resistance Rds(on)0.26ohm
Drain Source On State Resistance0.26ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd695W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation695W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar3 HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.26ohm
Transistor Case Style
TO-3P
Power Dissipation Pd
695W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar3 HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Drain Source On State Resistance
0.26ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
695W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit