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IXTA3N120
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 780 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,670 $ |
| 10+ | 7,870 $ |
| 25+ | 7,610 $ |
| 50+ | 7,360 $ |
| 100+ | 7,110 $ |
| 250+ | 6,750 $ |
| 500+ | 6,370 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
11,67 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTA3N120
Code Commande71AH4567
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id3A
On Resistance Rds(on)4.5ohm
Drain Source On State Resistance4.5ohm
Transistor Case StyleTO-263AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd200W
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
4.5ohm
Transistor Case Style
TO-263AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
200W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Drain Source On State Resistance
4.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits