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IXTH36N50P-DEL
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247AD, Through Hole
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTH36N50P-DELCopie
Code Commande58M7650
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTH36N50P-DELCopie
Code Commande58M7650
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd540W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation540W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
The IXTH36N50P is a PolarHV™ single N-channel standard Power MOSFET offers reduced static drain-to-source ON-resistance and avalanche rating.
- International standard packages
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
540W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
540W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit