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IXTP08N100D2
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTP08N100D2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande71AH4576
Votre numéro de pièce
30 En Stock
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,150 $ |
| 10+ | 3,630 $ |
| 25+ | 3,440 $ |
| 50+ | 3,280 $ |
| 100+ | 3,090 $ |
| 250+ | 2,840 $ |
| 500+ | 2,590 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,15 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTP08N100D2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande71AH4576
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id800mA
On Resistance Rds(on)21ohm
Drain Source On State Resistance21ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation60W
Power Dissipation Pd60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Produits de remplacement pour IXTP08N100D2
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
21ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
60W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Drain Source On State Resistance
21ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits