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IXTP12N65X2
Power MOSFET, X2-Class, N Channel, 650 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 33 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,630 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,63 $
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXTP12N65X2
Code Commande02AC9840
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd180W
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation180W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
180W
Power Dissipation
180W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits