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MUBW15-12A6K
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 19A
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantMUBW15-12A6KCopie
Code Commande34AC1926
Votre numéro de pièce
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantMUBW15-12A6KCopie
Code Commande34AC1926
Fiche technique
IGBT ConfigurationThree Phase Inverter
Continuous Collector Current19A
DC Collector Current19A
Collector Emitter Saturation Voltage3V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3V
Power Dissipation90W
Power Dissipation Pd90W
Operating Temperature Max125°C
Junction Temperature, Tj Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Jul-2017)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Three Phase Inverter
DC Collector Current
19A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3V
Power Dissipation Pd
90W
Junction Temperature, Tj Max
125°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (07-Jul-2017)
Continuous Collector Current
19A
Collector Emitter Saturation Voltage
3V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Jul-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit