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IXFN210N30P3
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 192 A, 300 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
200 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 64,400 $ |
| 5+ | 59,490 $ |
| 10+ | 54,600 $ |
| 25+ | 52,360 $ |
| 50+ | 50,300 $ |
| 100+ | 49,470 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
64,40 $
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN210N30P3
Code Commande29AK0433
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id192A
Drain Source Voltage Vds300V
On Resistance Rds(on)0.0145ohm
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd1.5kW
Power Dissipation1.5kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic rectifier. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Dynamic dv/dt rating
- Low RDS(on)
- Low drain-to-tab capacitance
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
192A
On Resistance Rds(on)
0.0145ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.5kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
1.5kW
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits