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IXFN300N20X3
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 300 A, 200 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4.5 V
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN300N20X3Copie
Code Commande03AH0742
Gamme de produitX3-Class HiPerFET Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 64,820 $ |
| 5+ | 56,790 $ |
| 10+ | 48,770 $ |
| 25+ | 47,140 $ |
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| 100+ | 46,080 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN300N20X3Copie
Code Commande03AH0742
Gamme de produitX3-Class HiPerFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source Voltage Vds200V
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Drain Source On State Resistance0.0035ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd695W
Power Dissipation695W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
N-channel enhancement mode avalanche rated X3-Class HiPerFET™ power MOSFET. It is suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor drives, PFC circuits, robotics and servo controls applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
695W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0035ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
695W
Product Range
X3-Class HiPerFET Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits