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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN38N100P
Code Commande03AH0752
Gamme de produitPolar/ HiperFET Series
Fiche technique
255 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 59,550 $ |
5+ | 55,300 $ |
10+ | 50,430 $ |
25+ | 49,430 $ |
50+ | 48,420 $ |
100+ | 47,420 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
59,55 $
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN38N100P
Code Commande03AH0752
Gamme de produitPolar/ HiperFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds1kV
Drain Source On State Resistance0.21ohm
On Resistance Rds(on)0.21ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation Pd1kW
Power Dissipation1kW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar/ HiperFET Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
N-channel enhancement mode fast intrinsic rectifier suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor control, high speed power switching application.
- Polar™ HiperFET™ power MOSFET
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low package inductance
- Low RDS(on) and QG
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.21ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
0.21ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Power Dissipation
1kW
Product Range
Polar/ HiperFET Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits