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IXSA65N120L2-7TR
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXSA65N120L2-7TRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine10AN0362RL
Bandes découpées10AN0362
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800 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 19,330 $ | 19,33 $ |
| Total Prix | 19,33 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 19,330 $ |
| 50+ | 12,280 $ |
| 100+ | 11,970 $ |
| 250+ | 11,730 $ |
| 500+ | 11,490 $ |
| 1000+ | 11,260 $ |
| 2500+ | 11,020 $ |
| 5000+ | 10,780 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXSA65N120L2-7TRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine10AN0362RL
Bandes découpées10AN0362
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.053ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation417W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
0.053ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
417W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IXSA65N120L2-7TR
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit