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IXSG110N65L2K
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXSG110N65L2KCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine10AN0363RL
Bandes découpées10AN0363
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 20,160 $ | 20,16 $ |
| Total Prix | 20,16 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 20,160 $ |
| 10+ | 19,440 $ |
| 25+ | 18,450 $ |
| 50+ | 17,700 $ |
| 100+ | 16,280 $ |
| 250+ | 15,220 $ |
| 500+ | 12,930 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXSG110N65L2KCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine10AN0363RL
Bandes découpées10AN0363
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id111A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTOLL
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
111A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TOLL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IXSG110N65L2K
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit