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IXSH65N120L2KHV
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, TO-247
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXSH65N120L2KHVCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande10AN0365
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 20,140 $ |
| 10+ | 14,980 $ |
| 25+ | 14,160 $ |
| 50+ | 13,350 $ |
| 100+ | 12,520 $ |
| 250+ | 11,720 $ |
| 500+ | 10,890 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXSH65N120L2KHVCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande10AN0365
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation375W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
375W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
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