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IXTA08N100D2
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263AA, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,410 $ |
| 10+ | 4,520 $ |
| 25+ | 3,650 $ |
| 50+ | 2,760 $ |
| 100+ | 2,490 $ |
| 500+ | 2,050 $ |
| 1000+ | 1,910 $ |
| 2500+ | 1,820 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTA08N100D2
Code Commande03AH1248
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id800mA
On Resistance Rds(on)21ohm
Drain Source On State Resistance21ohm
Transistor Case StyleTO-263AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation Pd60W
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
21ohm
Transistor Case Style
TO-263AA
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation Pd
60W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Drain Source On State Resistance
21ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits