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IXTH02N250
Power MOSFET, N Channel, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 23,540 $ |
| 5+ | 21,740 $ |
| 10+ | 19,940 $ |
| 25+ | 18,140 $ |
| 100+ | 16,820 $ |
| 500+ | 16,480 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTH02N250Copie
Code Commande03AH1443
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds2.5kV
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance450ohm
On Resistance Rds(on)450ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation83W
Power Dissipation Pd83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
N-channel enhancement mode fast intrinsic diode suitable for use in high voltage power supplies, capacitor discharge applications, pulse circuits applications.
- High voltage power MOSFET
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2.5kV
Drain Source On State Resistance
450ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
On Resistance Rds(on)
450ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
83W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits