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IXTH6N100D2
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-247, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,890 $ |
| 25+ | 12,560 $ |
| 100+ | 9,230 $ |
| 250+ | 8,140 $ |
| 500+ | 7,900 $ |
| 1000+ | 7,680 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTH6N100D2
Code Commande03AH1524
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)2.2ohm
Drain Source On State Resistance2.2ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd300W
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
2.2ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation Pd
300W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
2.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits