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IXTN40P50P
Bipolar (BJT) Single Transistor, P Channel, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTN40P50P
Code Commande03AH1596
Gamme de produitPolarP Series
Fiche technique
100 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 49,810 $ |
| 5+ | 43,390 $ |
| 10+ | 36,960 $ |
| 25+ | 34,960 $ |
| 100+ | 32,960 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
49,81 $
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTN40P50P
Code Commande03AH1596
Gamme de produitPolarP Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds500V
On Resistance Rds(on)0.23ohm
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd890W
Power Dissipation890W
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolarP Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
P-channel enhancement mode avalanche rated PolarP™ power MOSFET suitable for use in high-side switches, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged PolarP™ process
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.23ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
890W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
890W
Product Range
PolarP Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits