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IXTP1R6N50D2
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-220, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,590 $ |
| 10+ | 1,590 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTP1R6N50D2
Code Commande03AH1622
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id1.6A
On Resistance Rds(on)2.3ohm
Drain Source On State Resistance2.3ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation100W
Power Dissipation Pd100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
2.3ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
100W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Drain Source On State Resistance
2.3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Power Dissipation Pd
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits