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IXTP3N100D2
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,750 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTP3N100D2
Code Commande03AH1672
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id3A
On Resistance Rds(on)6ohm
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
6ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits