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| Quantité | Prix | Tarif promotionnel |
|---|---|---|
| 1+ | 70,520 $ | 39,790 $ |
| 5+ | 61,780 $ | 39,790 $ |
| 10+ | 53,050 $ | 39,790 $ |
| 25+ | 50,860 $ | 39,790 $ |
| 60+ | 49,910 $ | 39,790 $ |
| 120+ | 49,310 $ | 39,790 $ |
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Informations produit
FabricantIXYS RF
Réf. FabricantIXTT1N250HVCopie
Code Commande03AH1801
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds2.5kV
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source On State Resistance40ohm
On Resistance Rds(on)40ohm
Transistor Case StyleTO-268 (D3PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2.5kV
Drain Source On State Resistance
40ohm
Transistor Case Style
TO-268 (D3PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
On Resistance Rds(on)
40ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits
