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IXTY01N100D-TRL
MOSFET, N-CH, 1KV, 0.4A, TO-252
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTY01N100D-TRLCopie
Code Commande
Bobine complète03AH1896
Mise en bobine29AK0499
Bandes découpées29AK0499
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 8,340 $ | 8,34 $ |
| Total Prix | 8,34 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,340 $ |
| 10+ | 5,580 $ |
| 25+ | 5,050 $ |
| 50+ | 4,510 $ |
| 100+ | 3,980 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 3,700 $ |
| 4000+ | 3,440 $ |
| 8000+ | 3,210 $ |
| 12000+ | 3,090 $ |
| 20000+ | 3,040 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTY01N100D-TRLCopie
Code Commande
Bobine complète03AH1896
Mise en bobine29AK0499
Bandes découpées29AK0499
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id400mA
On Resistance Rds(on)80ohm
Drain Source On State Resistance80ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation25W
Power Dissipation Pd25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
80ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
25W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
400mA
Drain Source On State Resistance
80ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IXTY01N100D-TRL
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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