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IXTY08N100D2
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,690 $ |
| 10+ | 5,840 $ |
| 25+ | 5,010 $ |
| 50+ | 4,160 $ |
| 100+ | 3,310 $ |
| 500+ | 3,150 $ |
| 1000+ | 3,010 $ |
| 2500+ | 2,580 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXTY08N100D2
Code Commande03AH1899
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id800mA
On Resistance Rds(on)21ohm
Drain Source On State Resistance21ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation60W
Power Dissipation Pd60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
21ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
60W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Drain Source On State Resistance
21ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
60W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits