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IXXN110N65B4H1
IGBT Module, Single, 230 A, 1.72 V, 750 W, 175 °C, SOT-227B
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXXN110N65B4H1
Code Commande03AH1986
Gamme de produitXPT GenX4 Series
Fiche technique
300 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 41,700 $ |
| 5+ | 36,140 $ |
| 10+ | 30,580 $ |
| 25+ | 28,420 $ |
| 100+ | 26,260 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
41,70 $
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXXN110N65B4H1
Code Commande03AH1986
Gamme de produitXPT GenX4 Series
Fiche technique
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current230A
DC Collector Current230A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.72V
Collector Emitter Saturation Voltage1.72V
Power Dissipation Pd750W
Power Dissipation750W
Junction Temperature, Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product RangeXPT GenX4 Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
230A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.72V
Power Dissipation
750W
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
230A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.72V
Power Dissipation Pd
750W
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Transistor Case Style
SOT-227B
Collector Emitter Voltage Max
650V
IGBT Technology
Trench
Product Range
XPT GenX4 Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits