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LSIC1MO120E0080
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 39,420 $ |
| 5+ | 37,460 $ |
| 10+ | 35,490 $ |
| 25+ | 33,530 $ |
| 100+ | 31,570 $ |
| 500+ | 31,270 $ |
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantLSIC1MO120E0080
Code Commande54AH3104
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation179W
Power Dissipation Pd179W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
179W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit