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APTGX900A120TDP3EG
IGBT Module, Half Bridge, 900 A, 1.6 V, 3.26 kW, 175 °C, Module
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 358,390 $ |
| 5+ | 353,060 $ |
| 10+ | 347,890 $ |
| 25+ | 327,020 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
358,39 $
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Informations produit
FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantAPTGX900A120TDP3EG
Code Commande59AM4977
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current900A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation3.26kW
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 7 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 7 [Trench]
Product Range
-
Continuous Collector Current
900A
Power Dissipation
3.26kW
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificat de conformité du produit