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DN3535N8-G
MOSFET, N CH, 350V, 0.23A, SOT-89-3
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FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantDN3535N8-GCopie
Code Commande
Mise en bobine87X8691
Bandes découpées87X8691
Votre numéro de pièce
1 511 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,290 $ | 1,29 $ |
| Total Prix | 1,29 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,290 $ |
| 10+ | 1,190 $ |
| 25+ | 1,090 $ |
| 50+ | 1,040 $ |
| 100+ | 0,989 $ |
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Informations produit
FabricantMICROCHIP
Réf. FabricantDN3535N8-GCopie
Code Commande
Mise en bobine87X8691
Bandes découpées87X8691
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds350V
Continuous Drain Current Id230mA
Drain Source On State Resistance10ohm
On Resistance Rds(on)10ohm
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Power Dissipation Pd1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
350V
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Case Style
SOT-89
Rds(on) Test Voltage
0V
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
230mA
On Resistance Rds(on)
10ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour DN3535N8-G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit