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MT29F4G08ABADAWP-IT:D
Flash Memory, SLC NAND, 4 Gbit, 512M x 8bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pins
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FabricantMICRON
Réf. FabricantMT29F4G08ABADAWP-IT:DCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande80AH7773
Gamme de produit3.3V Parallel NAND Flash Memories
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FabricantMICRON
Réf. FabricantMT29F4G08ABADAWP-IT:DCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande80AH7773
Gamme de produit3.3V Parallel NAND Flash Memories
Fiche technique
Flash Memory TypeSLC NAND
Memory Density4Gbit
Memory Size4Gbit
Flash Memory Configuration512M x 8bit
Memory Configuration512M x 8bit
InterfacesParallel
IC Interface TypeParallel
Memory Case StyleTSOP-I
IC Case / PackageTSOP-I
No. of Pins48Pins
Clock Frequency Max50MHz
Clock Frequency50MHz
Access Time16ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3.3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Flash Memory Type
SLC NAND
Memory Size
4Gbit
Memory Configuration
512M x 8bit
IC Interface Type
Parallel
IC Case / Package
TSOP-I
Clock Frequency Max
50MHz
Access Time
16ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Memory Density
4Gbit
Flash Memory Configuration
512M x 8bit
Interfaces
Parallel
Memory Case Style
TSOP-I
No. of Pins
48Pins
Clock Frequency
50MHz
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3.3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:3A991
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit