Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
355 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 19,040 $ |
10+ | 19,040 $ |
25+ | 19,040 $ |
50+ | 19,040 $ |
100+ | 17,680 $ |
250+ | 17,680 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
19,04 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT47H128M16RT-25E AIT:C
Code Commande80AH8117
Fiche technique
DRAM TypeDDR2
DRAM Density2Gbit
Memory Density2Gbit
DRAM Memory Configuration128M x 16bit
Memory Configuration128M x 16bit
Clock Frequency400MHz
Clock Frequency Max400MHz
Memory Case StyleFBGA
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins84Pins
Supply Voltage Nom1.8V
Access Time2.5ns
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
MT47H128M16RT-25E AIT:C is a DDR2 SDRAM. It uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is essentially for 4n-prefetch architecture, with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O balls. A single read or write access for the DDR2 SDRAM effectively consists of a single 4n-bit-wide, one-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and four corresponding n-bitwide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O balls.
- Operating voltage range is 1.0V to 2.3V (VSS)
- 128Meg x 16 configuration, AEC-Q100- qualified
- Packaging style is 84-ball 9mm x 12.5mm FBGA
- Timing (cycle time) is 2.5ns at CL = 5 (DDR2-800)
- Posted CAS additive latency (AL)
- Data rate is 800MT/s, differential data strobe (DQS, DQS#) option
- DLL to align DQ and DQS transitions with CK, duplicate output strobe (RDQS) option for x8
- Programmable CAS latency (CL)
- On-die termination (ODT), supports JEDEC clock jitter specification
- JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible), 8D response time
Spécifications techniques
DRAM Type
DDR2
Memory Density
2Gbit
Memory Configuration
128M x 16bit
Clock Frequency Max
400MHz
IC Case / Package
FBGA
Supply Voltage Nom
1.8V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
DRAM Density
2Gbit
DRAM Memory Configuration
128M x 16bit
Clock Frequency
400MHz
Memory Case Style
FBGA
No. of Pins
84Pins
Access Time
2.5ns
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit