Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
500 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 43,720 $ |
5+ | 43,720 $ |
10+ | 43,720 $ |
25+ | 43,720 $ |
50+ | 43,720 $ |
100+ | 43,720 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
43,72 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E1G64D4HJ-046 WT:C
Code Commande25AK7964
Fiche technique
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density64Gbit
DRAM Density64Gbit
Memory Configuration1G x 64bit
DRAM Memory Configuration1G x 64bit
Clock Frequency2.133GHz
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
Memory Case StyleTFBGA
No. of Pins556Pins
Supply Voltage Nom1.1V
Access Time468ps
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
MT53E1G64D4HJ-046 WT:C is a 16Gb mobile low-powerDDR4 SDRAM with lowVDDQ. It is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This memory is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks. It has programmable VSS (ODT) termination and single-ended CK and DQS support. This memory has directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling.
- Operating voltage is 1.10V (VDD2) 0.60V or 1.10V (VDDQ)
- 1Gig x 64 configuration, LPDDR4, 4die addressing
- Packaging style is 556-ball TFBGA
- Cycle time is 468ps at RL = 36/40
- Operating temperature range is –25°C to +85°C, C design
- Clock rate is 2133MHz, data rate per pin is 4266Mb/s
- Ultra-low-voltage core and I/O power supplies
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), selectable output drive strength (DS)
Spécifications techniques
DRAM Type
Mobile LPDDR4
DRAM Density
64Gbit
DRAM Memory Configuration
1G x 64bit
Clock Frequency Max
2.133GHz
Memory Case Style
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Memory Density
64Gbit
Memory Configuration
1G x 64bit
Clock Frequency
2.133GHz
IC Case / Package
TFBGA
No. of Pins
556Pins
Access Time
468ps
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit