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MT53E256M16D1FW-046 AIT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
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FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E256M16D1FW-046 AIT:BCopie
Code Commande80AH8356
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Informations produit
FabricantMICRON
Réf. FabricantMT53E256M16D1FW-046 AIT:BCopie
Code Commande80AH8356
Fiche technique
DRAM TypeMobile LPDDR4
DRAM Density4Gbit
Memory Density4Gbit
DRAM Memory Configuration256M x 16bit
Memory Configuration256M x 16bit
Clock Frequency2.133GHz
Clock Frequency Max2.133GHz
Memory Case StyleTFBGA
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Access Time-
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Density
4Gbit
Memory Configuration
256M x 16bit
Clock Frequency Max
2.133GHz
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Access Time
-
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
DRAM Density
4Gbit
DRAM Memory Configuration
256M x 16bit
Clock Frequency
2.133GHz
Memory Case Style
TFBGA
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit