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CM75DU-24H
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 75 A, 1.2 kV, 450 W, 150 °C, Module
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FabricantMITSUBISHI ELECTRIC
Réf. FabricantCM75DU-24H
Code Commande09B2245
Gamme de produitU- Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
Informations produit
FabricantMITSUBISHI ELECTRIC
Réf. FabricantCM75DU-24H
Code Commande09B2245
Gamme de produitU- Series
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current75A
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.2kV
Power Dissipation450W
Power Dissipation Pd450W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
No. of Pins7Pins
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product RangeU- Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2kV
Power Dissipation
450W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2kV
Power Dissipation Pd
450W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
U- Series
Documents techniques (1)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :To Be Advised
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