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BSS138W-7-F
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Surface Mount
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FabricantMULTICOMP PRO
Réf. FabricantBSS138W-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine66W0894
Bandes découpées66W0894
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,321 $ | 0,32 $ |
| Total Prix | 0,32 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,321 $ |
| 10+ | 0,271 $ |
| 50+ | 0,120 $ |
| 100+ | 0,087 $ |
| 500+ | 0,066 $ |
| 1000+ | 0,057 $ |
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Informations produit
FabricantMULTICOMP PRO
Réf. FabricantBSS138W-7-FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine66W0894
Bandes découpées66W0894
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id200mA
On Resistance Rds(on)1.4ohm
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd200mW
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-323
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
The BSS138W-7-F is a N-channel logic level enhancement-mode FET offers fast switching speed and low input capacitance.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input/output leakage
- Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
- 12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
- 96% of customers would recommend to a friend
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
On Resistance Rds(on)
1.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Power Dissipation Pd
200mW
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit