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2N7002,215
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,320 $ |
| 10+ | 0,196 $ |
| 25+ | 0,157 $ |
| 50+ | 0,119 $ |
| 100+ | 0,080 $ |
| 250+ | 0,078 $ |
| 500+ | 0,078 $ |
| 1000+ | 0,077 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. Fabricant2N7002,215
Code Commande11N8527
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id300mA
Drain Source On State Resistance2.8ohm
On Resistance Rds(on)2.8ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd830mW
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
2N7002,215 is a 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET in a 3 pin SOT-23 package.
- Suitable for logic level gate drive sources
- Very fast switching
- Total power dissipation is 0.83W
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2.8ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
On Resistance Rds(on)
2.8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
830mW
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits