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2N7002BKS,115
MOSFET, NN CHANNEL, 60V, 0.3A, SOT363
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173 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,733 $ |
| 10+ | 0,516 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,66 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. Fabricant2N7002BKS,115
Code Commande71T7230
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id300mA
On Resistance Rds(on)1ohm
Drain Source On State Resistance1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd295mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation295mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 2N7002BKS is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET designed in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuits.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- ESD protection up to 2kV
- AEC-Q101 qualified
Applications
Automotive, Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
Drain Source On State Resistance
1.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
295mW
Power Dissipation
295mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits