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BSH103,215
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 850MA, 3-SOT-23
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,561 $ |
| 25+ | 0,430 $ |
| 50+ | 0,359 $ |
| 100+ | 0,301 $ |
| 250+ | 0,253 $ |
| 500+ | 0,216 $ |
| 1000+ | 0,176 $ |
| 2500+ | 0,149 $ |
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Multiple: 1
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSH103,215
Code Commande75R4687
Fiche technique
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produits de remplacement pour BSH103,215
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Aperçu du produit
The BSH103 from NXP is a surface mount, N channel enhancement mode MOS transistor in SOT-23 package using TrenchMOS technology. This transistor features very low threshold, high speed switching, no secondary breakdown and direct interface to CMOS, TTL. BSH103 is designed and qualified for use in high frequency applications, glue logic interface between logic blocks or periphery, computing, battery powered applications.
- Suitable for use with all 5V logic families
- Suitable for very low gate drive sources
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage of ±8V
- Drain current (Id) of 850mA
- Power dissipation (Pd) of 750mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Applications
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Spécifications techniques
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit