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BSH108,215
MOSFET, N-CH, 30V, 1.9A, 0.83W, SOT-23
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSH108,215
Code Commande34R3008
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
On Resistance Rds(on)0.077ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd830mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour BSH108,215
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The BSH108,215 is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. It is suitable for use in battery management, high speed switch and low power DC to DC converter applications.
- Very fast switching
- Logic level compatible
- Subminiature surface-mount package
- -65 to 150°C Operating junction temperature range
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
On Resistance Rds(on)
0.077ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
830mW
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits