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BSP52,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 639 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,994 $ |
| 10+ | 0,729 $ |
| 25+ | 0,676 $ |
| 50+ | 0,625 $ |
| 100+ | 0,572 $ |
| 250+ | 0,497 $ |
| 500+ | 0,422 $ |
| 1000+ | 0,360 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,99 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSP52,115
Code Commande34R3032
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max80V
Transition Frequency200MHz
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation Pd1.25W
DC Collector Current1A
Power Dissipation1.25W
RF Transistor CaseSOT-223
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleSOT-223
DC Current Gain hFE2000hFE
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min2000hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
1A
DC Collector Current
1A
RF Transistor Case
SOT-223
Transistor Case Style
SOT-223
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Transition Frequency
200MHz
Power Dissipation Pd
1.25W
Power Dissipation
1.25W
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE
2000hFE
DC Current Gain hFE Min
2000hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits