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BSS84AK,215
Power MOSFET, P Channel, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,237 $ |
| 10+ | 0,157 $ |
| 25+ | 0,131 $ |
| 50+ | 0,106 $ |
| 100+ | 0,080 $ |
| 250+ | 0,071 $ |
| 500+ | 0,062 $ |
| 1000+ | 0,048 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
1,18 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBSS84AK,215
Code Commande58T9003
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id180mA
On Resistance Rds(on)4.5ohm
Drain Source On State Resistance7.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd350mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
Aperçu du produit
The BSS84AK is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor in surface mount plastic package using Trench MOSFET technology. Logic-level compatible and very fast switching. Suitable for relay driver and high-speed line driver.
- AEC-Q101 Qualified
- Up to 1kV ESD protection
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
180mA
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
50V
On Resistance Rds(on)
4.5ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
350mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit