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BUK7Y12-40EX
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 52 A, 0.0093 ohm, SOT-669, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,760 $ |
| 10+ | 1,250 $ |
| 100+ | 0,855 $ |
| 500+ | 0,769 $ |
| 1000+ | 0,638 $ |
| 3000+ | 0,625 $ |
| 10500+ | 0,551 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBUK7Y12-40EX
Code Commande90W4282
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id52A
On Resistance Rds(on)0.0093ohm
Drain Source On State Resistance9300µohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation65W
Power Dissipation Pd65W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BUK7Y12-40E is a N-channel standard level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
- Repetitive avalanche rated
- Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
- True standard level gate with VGS (th) rating of greater than 1V at 175°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0093ohm
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
Drain Source On State Resistance
9300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BUK7Y12-40EX
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit