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BUK9637-100E,118
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 31 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,880 $ |
| 10+ | 3,080 $ |
| 100+ | 2,170 $ |
| 500+ | 1,940 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantBUK9637-100E,118
Code Commande53W8664
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
On Resistance Rds(on)0.031ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd96W
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation96W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BUK9637-100E is a N-channel logic level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
- Repetitive avalanche rated
- Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
- True logic level gate with VGS (th) rating of greater than 0.5V at 175°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
On Resistance Rds(on)
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
96W
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit