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GAN041-650WSBQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Through Hole
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|---|---|
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| 10+ | 14,420 $ |
| 25+ | 13,220 $ |
| 60+ | 13,220 $ |
| 120+ | 13,220 $ |
| 270+ | 13,220 $ |
| 510+ | 13,220 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN041-650WSBQ
Code Commande45AJ4080
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id47.2A
On Resistance Rds(on) Max0.041ohm
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge22nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
GAN041-650WSBQ is a 650V, 35mohm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. The applications include hard and soft switching converters for industrial and datacom power, bridgeless totempole PFC, PV, and UPS inverters, and servo motor drives.
- Ultra-low reverse recovery charge, simple gate drive (0V to +10V or 12V), robust gate oxide (±20V)
- High gate threshold voltage (+4V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode, transient over-voltage capability (800V)
- Drain-source voltage is 650V max (55°C ≤ Tj ≤ 175°C)
- Drain current is 47.2A max (VGS = 10V; Tmb = 25°C), total power dissipation is 187W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 35mohm typ (VGS = 10V; ID = 32A; Tj = 25°C)
- Gate-drain charge is 6.6nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 22nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Recovered charge is 150nC typ (IS = 32A; dIS/dt = -1000A/µs; VGS = 0V; VDS = 400V)
- 3 leads SOT429 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on) Max
0.041ohm
Typical Gate Charge
22nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
47.2A
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit