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GAN080-650EBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 897 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,040 $ |
| 10+ | 11,940 $ |
| 25+ | 11,760 $ |
| 50+ | 11,570 $ |
| 100+ | 11,390 $ |
| 250+ | 11,080 $ |
| 500+ | 10,760 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
12,04 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN080-650EBEZ
Code Commande74AK7561
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Typical Gate Charge6.2nC
Transistor Case StyleDFN8080
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
DFN8080
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
29A
Typical Gate Charge
6.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits