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GAN140-650FBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
336 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,900 $ |
| 10+ | 7,500 $ |
| 25+ | 7,440 $ |
| 50+ | 7,370 $ |
| 100+ | 7,320 $ |
| 250+ | 7,220 $ |
| 500+ | 7,120 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
7,90 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantGAN140-650FBEZ
Code Commande74AK7563
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.106ohm
Typical Gate Charge3.5nC
Transistor Case StyleDFN5060
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.106ohm
Transistor Case Style
DFN5060
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
17A
Typical Gate Charge
3.5nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits